트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IXTB30N100L

부품 재고: 1586

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 20V,

IXFH32N48

부품 재고: 2272

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 480V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 15A, 10V,

IXTN46N50L

부품 재고: 1858

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 20V,

IXFM42N20

부품 재고: 2351

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 21A, 10V,

IXTM6N90A

부품 재고: 6308

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

IXFN38N80Q2

부품 재고: 2129

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP26P20P

부품 재고: 11995

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

IXTM10P60

부품 재고: 2326

IXFM1633

부품 재고: 2293

IXFT58N20Q TRL

부품 재고: 2207

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 29A, 10V,

IXFE34N100

부품 재고: 2001

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 17A, 10V,

IXTM9226

부품 재고: 2340

IXFJ52N30Q

부품 재고: 2266

IXFJ80N10Q

부품 재고: 2182

IXFH42N20

부품 재고: 5335

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFR21N50Q

부품 재고: 2251

IXFD26N50Q-72

부품 재고: 2190

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V,

IXFD80N20Q-8XQ

부품 재고: 2271

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V,

IXFD23N60Q-72

부품 재고: 2195

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V,

IXTM12N100

부품 재고: 2317

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

IXFX32N48Q

부품 재고: 5693

IXFR32N50

부품 재고: 2225

IXFJ80N20Q

부품 재고: 2195

IXFL44N80

부품 재고: 2086

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 22A, 10V,

IXFR20N80Q

부품 재고: 2250

IXFJ32N50

부품 재고: 2245

IXFH67N10Q

부품 재고: 2189

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 33.5A, 10V,

IXTM35N30

부품 재고: 2300

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17.5A, 10V,

IXFT26N50Q TR

부품 재고: 6309

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

IXFK160N30T

부품 재고: 4760

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V,

IXFN340N06

부품 재고: 1951

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 340A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

IXTM5N100A

부품 재고: 2350

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.5A, 10V,

T-FD28N50Q-72

부품 재고: 2216

IXFE44N50QD2

부품 재고: 2165

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

MKE38P600LB

부품 재고: 2025

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc),

IXFM10N90

부품 재고: 2306

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,