FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 3mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 290A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Super Junction, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 118A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 500µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA,
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc), 62A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 3mA,
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 70V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 8mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A, 17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A, 54A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 65A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 30mA,