메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 104MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 800µs,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 클록 주파수: 104MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 클록 주파수: 166MHz,
