메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND (SLC), 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18), 클록 주파수: 117MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 266MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1.6ms,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 933MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 4Gb (512M x 8), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM - FP, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 2Mb (64K x 36), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36), 클록 주파수: 117MHz,
