기억

IS43LR32400G-6BL

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부품 재고: 12816

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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부품 재고: 18537

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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IS45S16800F-7TLA2

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부품 재고: 13888

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 143MHz,

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 166MHz,

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부품 재고: 16353

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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IS42S83200J-7TLI

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부품 재고: 12873

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 143MHz,

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IS61WV2568EDBLL-10TLI

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부품 재고: 18147

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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IS45S32200L-6TLA2

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부품 재고: 13992

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 166MHz,

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부품 재고: 19216

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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IS43DR16160B-25DBLI

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부품 재고: 11753

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS45S16160J-6CTLA1

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부품 재고: 12977

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 166MHz,

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IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR

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부품 재고: 116

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 클록 주파수: 100MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns,

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IS43R86400D-5TL

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부품 재고: 14184

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS45S16800F-7BLA1-TR

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부품 재고: 15040

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 143MHz,

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부품 재고: 17456

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS43DR16640C-3DBLI-TR

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부품 재고: 122

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS42S32400F-7TLI

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부품 재고: 13830

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 143MHz,

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IS43DR16640C-25DBL

IS43DR16640C-25DBL

부품 재고: 15602

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

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부품 재고: 137

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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IS43R16160D-6BL-TR

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부품 재고: 13759

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS42VM16160K-75BLI-TR

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부품 재고: 12412

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 133MHz,

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IS45S16160J-7CTLA1-TR

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부품 재고: 15044

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 143MHz,

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부품 재고: 113

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

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IS43LR32400G-6BL-TR

IS43LR32400G-6BL-TR

부품 재고: 14599

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 128Mb (4M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS43R86400D-5TL-TR

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부품 재고: 15885

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS45S16800F-6BLA1-TR

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부품 재고: 14011

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 166MHz,

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IS45S16160J-7BLA1

IS45S16160J-7BLA1

부품 재고: 13506

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 143MHz,

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IS46DR16320E-25DBLA2-TR

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부품 재고: 94

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS25LP256D-RMLE

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부품 재고: 136

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 800µs,

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IS25LP256D-RHLE

IS25LP256D-RHLE

부품 재고: 7033

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 800µs,

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IS43DR16160B-3DBLI

IS43DR16160B-3DBLI

부품 재고: 12585

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

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IS66WVE4M16ALL-70BLI

IS66WVE4M16ALL-70BLI

부품 재고: 16691

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

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IS42RM16800H-75BLI

IS42RM16800H-75BLI

부품 재고: 13181

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 133MHz,

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IS61WV25616BLS-25TLI

IS61WV25616BLS-25TLI

부품 재고: 18561

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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IS61C25616AS-25TLI

IS61C25616AS-25TLI

부품 재고: 18629

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns,

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