구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 9V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 15.4V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 15.6V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.3V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 11.4V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 2V, 2.15V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V,
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구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10.2V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.7V,
