구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.9V,
구동 구성: Half-Bridge, Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.9V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 2V, 2.15V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 13V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V,
구동 구성: Half-Bridge, Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 8V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.9V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 0V ~ 18V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 13V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 13V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 3V ~ 3.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 14V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 17.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 10V ~ 25V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 25V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.7V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
