트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IPP80N06S2L05AKSA1

IPP80N06S2L05AKSA1

부품 재고: 6117

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

위시리스트
IRF8734PBF

IRF8734PBF

부품 재고: 781

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 21A, 10V,

위시리스트
IRFSL4620PBF

IRFSL4620PBF

부품 재고: 660

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

위시리스트
IRF7451TRPBF

IRF7451TRPBF

부품 재고: 132087

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 10V,

위시리스트
SPS04N60C3BKMA1

SPS04N60C3BKMA1

부품 재고: 848

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

위시리스트
IRLS4030-7PPBF

IRLS4030-7PPBF

부품 재고: 11129

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

위시리스트
IPP80N04S2L03AKSA1

IPP80N04S2L03AKSA1

부품 재고: 823

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 80A, 10V,

위시리스트
IPD50R399CP

IPD50R399CP

부품 재고: 816

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V,

위시리스트
IRF6795MTR1PBF

IRF6795MTR1PBF

부품 재고: 666

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 32A, 10V,

위시리스트
SN7002NL6433HTMA1

SN7002NL6433HTMA1

부품 재고: 862

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

위시리스트
IPU060N03L G

IPU060N03L G

부품 재고: 650

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
IRFS4620PBF

IRFS4620PBF

부품 재고: 32163

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

위시리스트
IRF7665S2TR1PBF

IRF7665S2TR1PBF

부품 재고: 851

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta), 14.4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 8.9A, 10V,

위시리스트
IRFS5615PBF

IRFS5615PBF

부품 재고: 821

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

위시리스트
IPP100N06S205AKSA1

IPP100N06S205AKSA1

부품 재고: 849

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

위시리스트
IRFS4020PBF

IRFS4020PBF

부품 재고: 853

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 11A, 10V,

위시리스트
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

부품 재고: 13281

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

위시리스트
IPP080N03L G

IPP080N03L G

부품 재고: 828

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
SPP15P10PGHKSA1

SPP15P10PGHKSA1

부품 재고: 826

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 10.6A, 10V,

위시리스트
IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF

부품 재고: 52115

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

위시리스트
IRFR3504ZTRPBF

IRFR3504ZTRPBF

부품 재고: 128536

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 42A, 10V,

위시리스트
IPP80N04S3-04

IPP80N04S3-04

부품 재고: 809

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 80A, 10V,

위시리스트
IRF6633ATR1PBF

IRF6633ATR1PBF

부품 재고: 648

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 69A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 16A, 10V,

위시리스트
IRF9393TRPBF

IRF9393TRPBF

부품 재고: 145770

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 9.2A, 20V,

위시리스트
IPU050N03L G

IPU050N03L G

부품 재고: 6134

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

위시리스트
IPW50R399CPFKSA1

IPW50R399CPFKSA1

부품 재고: 35173

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V,

위시리스트
IPP77N06S212AKSA1

IPP77N06S212AKSA1

부품 재고: 792

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 38A, 10V,

위시리스트
IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G

부품 재고: 790

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

위시리스트
IPP60R520CPXKSA1

IPP60R520CPXKSA1

부품 재고: 812

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

위시리스트
IRLS3034-7PPBF

IRLS3034-7PPBF

부품 재고: 11547

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 200A, 10V,

위시리스트
IRFP048NPBF

IRFP048NPBF

부품 재고: 37454

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 37A, 10V,

위시리스트
IPW50R199CPFKSA1

IPW50R199CPFKSA1

부품 재고: 25925

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 9.9A, 10V,

위시리스트
SPP24N60CFDHKSA1

SPP24N60CFDHKSA1

부품 재고: 828

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 15.4A, 10V,

위시리스트
IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF

부품 재고: 95603

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 38A, 10V,

위시리스트
IPW50R299CPFKSA1

IPW50R299CPFKSA1

부품 재고: 31063

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

위시리스트
IRFB3307ZGPBF

IRFB3307ZGPBF

부품 재고: 791

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

위시리스트