트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BSS606NH6327XTSA1

부품 재고: 140760

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.2A, 10V,

BTS282ZE3180AATMA2

부품 재고: 30675

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 49V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

BSP149H6906XTSA1

부품 재고: 132013

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

BSC079N03SG

부품 재고: 2311

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.6A (Ta), 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 40A, 10V,

BSP296NL6327HTSA1

부품 재고: 2175

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.2A, 10V,

BUZ31H3046XKSA1

부품 재고: 2045

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

BSP298H6327XUSA1

부품 재고: 144742

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

BSG0812NDATMA1

부품 재고: 2018

BSO613SPVGHUMA1

부품 재고: 10789

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.44A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.44A, 10V,

BSP615S2LHUMA1

부품 재고: 1649

BSF024N03LT3GXUMA1

부품 재고: 1599

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 106A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

BSO083N03MSGXUMA1

부품 재고: 1515

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 14A, 10V,

BSO051N03MS G

부품 재고: 6171

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 18A, 10V,

BSL202SNL6327HTSA1

부품 재고: 1570

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

BSD316SNL6327XT

부품 재고: 121446

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

BSZ023N04LSATMA1

부품 재고: 1508

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.35 mOhm @ 20A, 10V,

BTS121AE3045ANTMA1

부품 재고: 6242

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

BSS169L6906HTSA1

부품 재고: 1454

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

BSS159NL6906HTSA1

부품 재고: 1478

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

BSP320SL6327HTSA1

부품 재고: 1391

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

BSP324L6327HTSA1

부품 재고: 1482

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

BSF050N03LQ3GXUMA1

부품 재고: 1464

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 60A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

BSD816SNL6327HTSA1

부품 재고: 1485

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

BSB012NE2LX

부품 재고: 1435

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 170A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

BSB017N03LX3 G

부품 재고: 1460

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 147A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

BSB012N03LX3 G

부품 재고: 1453

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Ta), 180A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

BSP320SL6433HTMA1

부품 재고: 1443

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

BSS123L6433HTMA1

부품 재고: 1415

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

BSP135L6433HTMA1

부품 재고: 1475

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

BSP296L6433HTMA1

부품 재고: 1422

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

BSP125L6433HTMA1

부품 재고: 1378

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

BSF077N06NT3GXUMA1

부품 재고: 1439

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 56A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 30A, 10V,

BSC889N03MSGATMA1

부품 재고: 1403

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 44A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 30A, 10V,

BSC889N03LSGATMA1

부품 재고: 1458

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 45A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

BSC884N03MS G

부품 재고: 1453

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 85A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

BSC882N03MSGATMA1

부품 재고: 1461

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,