코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: Toroid, 갭: T38,
코어 유형: RM, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: E, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 7.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 16µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: PM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 50.00mm, 초기 투자율 (µi): PM 50 x 39,
코어 유형: ELP, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): ELP 64 x 10 x50,
갭: N49,
갭: N87,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 64 x 10 x50,
코어 유형: RM, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 21 x 9 x 5,
코어 유형: RM, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: EFD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: E, 갭: T46, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 5,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 970nH, 공차: ±25%, 갭: K10, 유효 투과성 (µe): 202.00mm, 초기 투자율 (µi): R 202 x 153 x 25,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 3.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 21 x 9 x 5,
코어 유형: EFD, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 5,
코어 유형: EFD, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±5%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 6µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T66, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±7%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EP, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±7%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EPX 10,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 5.60mm, 초기 투자율 (µi): PCH 5.6 x 3.7,
