프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 2.3V ~ 2.7V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 1.65V ~ 1.95V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 2000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 768,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 320,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 320,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 25.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 8,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 2000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 384,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 10,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 8,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 8,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 32, 게이트 수: 1000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 2000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 1.65V ~ 1.95V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 384,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 4.5ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 4.2ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 128,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 25.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 10,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 8,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 384,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 3.5ns, 전압 공급-내부: 2.3V ~ 2.7V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 384,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 2.3V ~ 2.7V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 2.3V ~ 2.7V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 384,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.7ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 3000,
