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프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 2.3V ~ 2.7V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 384,
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프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 2.3V ~ 2.7V, 논리 요소 / 블록 수: 24, 매크로 셀 수: 384,
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프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 8,
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프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 25.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 매크로 셀 수: 8,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 1.65V ~ 1.95V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 320,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 2000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 192,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.5V ~ 5.5V, 매크로 셀 수: 320,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 64,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 4.7ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 논리 요소 / 블록 수: 240, 매크로 셀 수: 192,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 9.1ns, 전압 공급-내부: 2.7V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 3000,
