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프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1250,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.7ns, 전압 공급-내부: 1.7V ~ 1.9V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256, 게이트 수: 6000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 288, 게이트 수: 6400,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 32,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 192,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 192,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 매크로 셀 수: 256,
