구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 2.75V ~ 30V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 30V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 16V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 8V ~ 14V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 9V ~ 14V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6.8V ~ 13.2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 15V, 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4V ~ 14V, 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.25V ~ 15V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.16V, 2.08V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 8V ~ 17V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 15V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.9V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 25V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6V ~ 9.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4V ~ 6.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 3V, 6.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 35V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V,
