코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 4.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): RM 12 LP,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 10.80mm,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 1.9µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 6,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: EFD, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: EV, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EV 25 x 13 x 13,
코어 유형: Toroid, 갭: K10,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 3.6µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: E, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: E, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: E, 인덕턴스 계수 (Al): 2.7µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N72, 초기 투자율 (µi): E 34 x 14 x 9,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 9.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 47.00mm, 초기 투자율 (µi): P 47 x 28,
코어 유형: P (Pot Core), 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 59.3mm,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 5.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±8%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 5,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: Toroid, 갭: T38,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 16 x 6 x 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 16 x 6 x 5,
코어 유형: E, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: P (Pot Core), 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: E, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EFD, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 4µH, 공차: ±25%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
