코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 11.30mm, 초기 투자율 (µi): P 11 x 7,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 200nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 9.30mm, 초기 투자율 (µi): P 9 x 5,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 9.30mm, 초기 투자율 (µi): P 9 x 5,
코어 유형: ELP, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ELP 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: N87,
코어 유형: RM, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 35 x 17 x 10,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 140nH, 공차: -20%, +30%, 갭: K1, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 350nH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): EP 5,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 150.00mm, 초기 투자율 (µi): P Core Half 150 x 30,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 13 x 1,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 5.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: Toroid, 갭: T35,
코어 유형: EV, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EV 15 x 9 x 7,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 11.30mm, 초기 투자율 (µi): P 11 x 7,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
갭: N48, 유효 투과성 (µe): 11.30mm, 초기 투자율 (µi): P 11 x 7,
코어 유형: P (Pot Core), 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 59.3mm,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 40nH, 공차: ±3%, 갭: K1, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 28µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,