감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
출력 구성: Open Collector, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA,
감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: Transistor, Base-Emitter Resistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V,
감지 거리: 0.067" (1.7mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.079" (2mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: PNP - Open Collector,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V,
감지 거리: 4.724" (120mm), 감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: PNP/NPN,
감지 거리: 0.134" (3.4mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.472" (12mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
