감지 거리: 0.043" (1.1mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 30mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.035" (0.9mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 1.969" (50mm), 감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: PNP,
감지 거리: 0.079" (2mm), 감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: PNP/NPN,
감지 거리: 1.181" (30mm), 감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: PNP,
감지 거리: 4.724" (120mm), 감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: NPN,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 55V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
전류-DC 순방향 (If) (최대): 1A, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Transistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: NPN - Open Collector,
