감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.106" (2.7mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Liquid, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.100" (2.54mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.375" (9.53mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.080" (2.03mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Transistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.100" (2.54mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.106" (2.7mm), 감지 방법: Transmissive, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 5mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.079" (2mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 35V,
감지 거리: 0.134" (3.4mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 15mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 24V,
감지 거리: 0.157" (4mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 3.150" (80mm), 감지 방법: Optical Flag, 출력 구성: PNP/NPN,
