기억

11LC020-I/MS

11LC020-I/MS

부품 재고: 117480

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA020T-I/MNY

11AA020T-I/MNY

부품 재고: 120097

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010-E/SN

11LC010-E/SN

부품 재고: 150572

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC020T-I/MS

11LC020T-I/MS

부품 재고: 109292

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC080T-I/SN

11LC080T-I/SN

부품 재고: 164289

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC080-I/SN

11LC080-I/SN

부품 재고: 166910

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA080-I/SN

11AA080-I/SN

부품 재고: 136931

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC020T-E/TT

11LC020T-E/TT

부품 재고: 134787

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA010-I/TO

11AA010-I/TO

부품 재고: 197612

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA020-I/SN

11AA020-I/SN

부품 재고: 117883

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC020-I/SN

11LC020-I/SN

부품 재고: 108616

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010T-I/MNY

11LC010T-I/MNY

부품 재고: 120443

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC040T-I/SN

11LC040T-I/SN

부품 재고: 145387

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA010T-I/MS

11AA010T-I/MS

부품 재고: 172716

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC080T-I/TT

11LC080T-I/TT

부품 재고: 193390

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA010T-I/MNY

11AA010T-I/MNY

부품 재고: 127586

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA040T-I/SN

11AA040T-I/SN

부품 재고: 127093

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA020-I/TO

11AA020-I/TO

부품 재고: 108373

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010T-I/MS

11LC010T-I/MS

부품 재고: 191099

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010T-E/TT

11LC010T-E/TT

부품 재고: 129508

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA080T-I/TT

11AA080T-I/TT

부품 재고: 151371

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010-I/SN

11LC010-I/SN

부품 재고: 168427

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA010-I/SN

11AA010-I/SN

부품 재고: 112055

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC040T-I/TT

11LC040T-I/TT

부품 재고: 133683

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA040T-I/TT

11AA040T-I/TT

부품 재고: 139503

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA020T-I/SN

11AA020T-I/SN

부품 재고: 111401

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC020T-I/SN

11LC020T-I/SN

부품 재고: 145382

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA010T-I/SN

11AA010T-I/SN

부품 재고: 171690

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC020T-I/TT

11LC020T-I/TT

부품 재고: 149311

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010T-I/SN

11LC010T-I/SN

부품 재고: 157476

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA020T-I/TT

11AA020T-I/TT

부품 재고: 107525

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11AA010T-I/TT

11AA010T-I/TT

부품 재고: 114620

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
11LC010T-I/TT

11LC010T-I/TT

부품 재고: 126403

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 100kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
24AA00-I/PG

24AA00-I/PG

부품 재고: 8605

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 128b (16 x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,

위시리스트에게
25LC080A-I/STG

25LC080A-I/STG

부품 재고: 8559

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 10MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게
25AA080B-I/SNG

25AA080B-I/SNG

부품 재고: 8531

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 10MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,

위시리스트에게