메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 512Kb (64K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 512Kb (64K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 20MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 16MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 클록 주파수: 20MHz,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 512Kb (64K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
