| 유형 | 기술 |
| 부품 상태 | Active |
|---|---|
| FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A, 500mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
| RoHS 현황 | RoHS 준수 |
|---|---|
| 습기 감도 수준 (MSL) | 해당 사항 없음 |
| 라이프 사이클 상태 | 쓸모없는 / 삶의 끝 |
| 재고 범주 | 사용 가능 재고 |
