트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 18dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 80mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 2.7V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 17.7dB, 전압-테스트: 2.7V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 4GHz, 이득: 15.8dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 40mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 12GHz, 이득: 12dB, 전압-테스트: 1.5V, 현재 등급: 45mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 900MHz, 이득: 17.2dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 300mA, 노이즈 피겨: 0.8dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16.5dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 500mA, 노이즈 피겨: 1.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 14.8dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 1A, 노이즈 피겨: 1.4dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 15.5dB, 전압-테스트: 4.5V, 현재 등급: 1A, 노이즈 피겨: 1.1dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 145mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 305mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 15dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 305mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 17.5dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 2GHz, 이득: 20dB, 전압-테스트: 4V, 현재 등급: 300mA, 노이즈 피겨: 0.6dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16.6dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 120mA, 노이즈 피겨: 0.5dB,
트랜지스터 유형: pHEMT FET, 회수: 2GHz, 이득: 16dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 145mA, 노이즈 피겨: 0.4dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 12GHz, 이득: 11dB, 전압-테스트: 2V, 현재 등급: 50mA, 노이즈 피겨: 1dB,
트랜지스터 유형: E-pHEMT, 회수: 10GHz, 이득: 9dB, 전압-테스트: 3V, 현재 등급: 100mA, 노이즈 피겨: 0.81dB,
