회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 470, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 220, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 47k, 공차: ±2%, 저항기 수: 5, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 120k, 공차: ±2%, 저항기 수: 7, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 18k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 2.9k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 56, 공차: ±2%, 저항기 수: 9, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 560, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 1.8k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 120, 공차: ±2%, 저항기 수: 5, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 1k, 공차: ±2%, 저항기 수: 9, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 2k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 2.7k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 3.3k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 47k, 공차: ±2%, 저항기 수: 7, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 2.2k, 공차: ±2%, 저항기 수: 4, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 18k, 공차: ±2%, 저항기 수: 7, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 5.6k, 공차: ±2%, 저항기 수: 7, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 15k, 공차: ±2%, 저항기 수: 9, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 15k, 공차: ±2%, 저항기 수: 7, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Dual Terminator, 저항 (옴): 330, 680, 공차: ±2%, 저항기 수: 16, 저항 비 드리프트: 50 ppm/°C,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 3.3k, 공차: ±2%, 저항기 수: 3,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 100k, 공차: ±2%, 저항기 수: 3,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 330, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 560, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 3.9k, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 150, 공차: ±2%, 저항기 수: 10,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 4.7k, 공차: ±2%, 저항기 수: 10,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 270, 공차: ±2%, 저항기 수: 10,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 120, 공차: ±2%, 저항기 수: 10,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 4.7k, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
회로 유형: Isolated, 저항 (옴): 10k, 공차: ±2%, 저항기 수: 10,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 22k, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 470, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
회로 유형: Bussed, 저항 (옴): 2.7k, 공차: ±2%, 저항기 수: 19,
