FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 190V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A, 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A, 7.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 10.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 500µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 300µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 100A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A, 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 15.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, 9.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 935µA,
