트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

부품 재고: 2797

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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SI3951DV-T1-E3

SI3951DV-T1-E3

부품 재고: 2720

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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VQ1001P

VQ1001P

부품 재고: 2888

FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SI6955ADQ-T1-GE3

SI6955ADQ-T1-GE3

부품 재고: 3376

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

부품 재고: 2716

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 600µA,

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SI8904EDB-T2-E1

SI8904EDB-T2-E1

부품 재고: 2770

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

부품 재고: 2835

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, 4.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

부품 재고: 2891

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 10.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3

부품 재고: 24358

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 60A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SIA917DJ-T1-GE3

SIA917DJ-T1-GE3

부품 재고: 2760

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

부품 재고: 2750

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

부품 재고: 70490

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3

부품 재고: 2698

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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SI5943DU-T1-E3

SI5943DU-T1-E3

부품 재고: 2795

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI1035X-T1-GE3

SI1035X-T1-GE3

부품 재고: 103062

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA, 145mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 400mV @ 250µA (Min),

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SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

부품 재고: 2912

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3

부품 재고: 2792

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

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SI4565ADY-T1-E3

SI4565ADY-T1-E3

부품 재고: 2757

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

부품 재고: 2809

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI6993DQ-T1-GE3

SI6993DQ-T1-GE3

부품 재고: 2801

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

부품 재고: 2802

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI5943DU-T1-GE3

SI5943DU-T1-GE3

부품 재고: 3377

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI5935DC-T1-GE3

SI5935DC-T1-GE3

부품 재고: 2861

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

부품 재고: 2865

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

부품 재고: 2748

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

부품 재고: 3345

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3

부품 재고: 3351

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SIA914DJ-T1-E3

SIA914DJ-T1-E3

부품 재고: 2809

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

부품 재고: 137151

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 18A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

부품 재고: 2731

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI1025X-T1-E3

SI1025X-T1-E3

부품 재고: 2759

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI1033X-T1-E3

SI1033X-T1-E3

부품 재고: 2716

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3

부품 재고: 2827

FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

부품 재고: 5353

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

부품 재고: 2864

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

부품 재고: 2847

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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