감지 거리: 0.157" (4mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 32V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, 감지 방법: Reflective, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 출력 유형: PIN Photodiode,
감지 거리: 0.02" (0.5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.591" (15mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, 감지 방법: Reflective, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: PIN Photodiode,
감지 거리: 0.197" (5mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 32V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
