감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 25mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V,
감지 거리: 0.110" (2.8mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 0.122" (3.1mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 3.1mm, 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 500µA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 3.1mm, 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 4mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 0.122" (3.1mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 0.106" (2.7mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 15mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V,
감지 거리: 0.122" (3.1mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 4mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 70V,