FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
