트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TPH3202PD

부품 재고: 7016

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3205WSB

부품 재고: 3254

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3208PD

부품 재고: 986

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3207WS

부품 재고: 2351

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

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TPH3206LS

부품 재고: 6040

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LS

부품 재고: 5664

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3208PS

부품 재고: 6263

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206PD

부품 재고: 5709

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3206PS

부품 재고: 6777

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H035WS

부품 재고: 2828

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

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TPH3208LDG

부품 재고: 5597

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206LDGB

부품 재고: 6072

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H050WS

부품 재고: 1890

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 12V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

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TPH3206LD

부품 재고: 6066

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LSG

부품 재고: 1701

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

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TPH3205WSBQA

부품 재고: 2970

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3206PSB

부품 재고: 6741

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TP90H180PS

부품 재고: 2997

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

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TPH3206LSB

부품 재고: 6120

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TPH3212PS

부품 재고: 4430

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

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TPH3202LD

부품 재고: 6662

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3202LS

부품 재고: 6623

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3208LD

부품 재고: 5648

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3202PS

부품 재고: 7016

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3206LDB

부품 재고: 6074

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: GaNFET (Gallium Nitride), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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