메모리 유형: Read/Write,
스타일: Glass Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only, 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Key Fob, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 기준: ISO 15693,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 80b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only, 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Encapsulated, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 134.2kHz, 메모리 유형: Read Only,
