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트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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CSD88599Q5DCT
Texas Instruments

CSD88599Q5DCT

부품 재고: 14468

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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CSD87333Q3DT
Texas Instruments

CSD87333Q3DT

부품 재고: 70653

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CSD87381P
Texas Instruments

CSD87381P

부품 재고: 131899

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD87350Q5D
Texas Instruments

CSD87350Q5D

부품 재고: 68849

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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CSD86336Q3DT
Texas Instruments

CSD86336Q3DT

부품 재고: 2714

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

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CSD83325L
Texas Instruments

CSD83325L

부품 재고: 156131

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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CSD87588NT
Texas Instruments

CSD87588NT

부품 재고: 67251

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD87381PT
Texas Instruments

CSD87381PT

부품 재고: 109565

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD87355Q5DT
Texas Instruments

CSD87355Q5DT

부품 재고: 39849

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD87313DMST
Texas Instruments

CSD87313DMST

부품 재고: 49889

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CSD85302LT
Texas Instruments

CSD85302LT

부품 재고: 177129

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard,

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CSD88599Q5DC
Texas Instruments

CSD88599Q5DC

부품 재고: 22783

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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CSD86356Q5DT
Texas Instruments

CSD86356Q5DT

부품 재고: 2723

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

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TPS1120D
Texas Instruments

TPS1120D

부품 재고: 27273

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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CSD87384M
Texas Instruments

CSD87384M

부품 재고: 105031

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD83325LT
Texas Instruments

CSD83325LT

부품 재고: 151301

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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CSD87355Q5D
Texas Instruments

CSD87355Q5D

부품 재고: 70450

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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TPS1120DG4
Texas Instruments

TPS1120DG4

부품 재고: 42271

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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CSD85312Q3E
Texas Instruments

CSD85312Q3E

부품 재고: 187545

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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CSD88584Q5DCT
Texas Instruments

CSD88584Q5DCT

부품 재고: 10445

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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CSD87335Q3D
Texas Instruments

CSD87335Q3D

부품 재고: 96785

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD87331Q3D
Texas Instruments

CSD87331Q3D

부품 재고: 140901

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

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CSD75301W1015
Texas Instruments

CSD75301W1015

부품 재고: 2951

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

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CSD88539NDT
Texas Instruments

CSD88539NDT

부품 재고: 108250

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA,

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CSD85301Q2T
Texas Instruments

CSD85301Q2T

부품 재고: 172784

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CSD87312Q3E
Texas Instruments

CSD87312Q3E

부품 재고: 166053

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A , 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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CSD87384MT
Texas Instruments

CSD87384MT

부품 재고: 49054

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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CSD88584Q5DC
Texas Instruments

CSD88584Q5DC

부품 재고: 25476

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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CSD87334Q3D
Texas Instruments

CSD87334Q3D

부품 재고: 121075

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CSD87503Q3ET
Texas Instruments

CSD87503Q3ET

부품 재고: 4047

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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CSD88539ND
Texas Instruments

CSD88539ND

부품 재고: 153712

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA,

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TPS1120DR
Texas Instruments

TPS1120DR

부품 재고: 79109

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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CSD86350Q5D
Texas Instruments

CSD86350Q5D

부품 재고: 61562

FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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CSD85301Q2
Texas Instruments

CSD85301Q2

부품 재고: 106554

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CSD87313DMS
Texas Instruments

CSD87313DMS

부품 재고: 10773

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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CSD87503Q3E
Texas Instruments

CSD87503Q3E

부품 재고: 10848

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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