다이오드-제너-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 90

1N5247B A0G

부품 재고: 251

전압-제너 (공칭) (Vz): 17V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 19 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 13V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5249B A0G

부품 재고: 194

전압-제너 (공칭) (Vz): 19V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 23 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 14V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5245B A0G

부품 재고: 264

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 16 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 11V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5259B A0G

부품 재고: 244

전압-제너 (공칭) (Vz): 39V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 30V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5358 R7G

부품 재고: 299

전압-제너 (공칭) (Vz): 22V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 16.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5358HR7G

부품 재고: 343

전압-제너 (공칭) (Vz): 22V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 16.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5353HR7G

부품 재고: 271

전압-제너 (공칭) (Vz): 16V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 12.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5353 R7G

부품 재고: 333

전압-제너 (공칭) (Vz): 16V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 12.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5359 R7G

부품 재고: 4591

전압-제너 (공칭) (Vz): 24V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 18.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5929 R5G

부품 재고: 4520

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 9 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5934 R5G

부품 재고: 4542

전압-제너 (공칭) (Vz): 24V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 19 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 18.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5349HR7G

부품 재고: 4519

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 9.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5942HR5G

부품 재고: 4565

전압-제너 (공칭) (Vz): 51V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 70 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 38.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5956 R5G

부품 재고: 4514

전압-제너 (공칭) (Vz): 200V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 1200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 152V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5956HR5G

부품 재고: 4587

전압-제너 (공칭) (Vz): 200V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 1200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 152V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5935 R5G

부품 재고: 4514

전압-제너 (공칭) (Vz): 27V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 23 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 20.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5369 R7G

부품 재고: 4569

전압-제너 (공칭) (Vz): 51V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 27 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 38.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5927 R5G

부품 재고: 4542

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 6.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 9.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5352 R7G

부품 재고: 4511

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 11.5V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5348HR7G

부품 재고: 4534

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 8.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5933 R5G

부품 재고: 4539

전압-제너 (공칭) (Vz): 22V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 17.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 16.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5935HR5G

부품 재고: 4548

전압-제너 (공칭) (Vz): 27V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 23 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 20.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5951 R5G

부품 재고: 4527

전압-제너 (공칭) (Vz): 120V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 360 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 91.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5927HR5G

부품 재고: 4583

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 6.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 9.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5369HR7G

부품 재고: 4568

전압-제너 (공칭) (Vz): 51V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 27 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 38.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5349 R7G

부품 재고: 4565

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 9.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5926 R5G

부품 재고: 4541

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 8.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5361HR7G

부품 재고: 4565

전압-제너 (공칭) (Vz): 27V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 20.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5352HR7G

부품 재고: 4532

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 11.5V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5930 R5G

부품 재고: 4514

전압-제너 (공칭) (Vz): 16V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 12.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5361 R7G

부품 재고: 7338

전압-제너 (공칭) (Vz): 27V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 20.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5348 R7G

부품 재고: 7328

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±5%, 전력-최대: 5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 8.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5951HR5G

부품 재고: 7344

전압-제너 (공칭) (Vz): 120V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 360 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 91.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5942 R5G

부품 재고: 7356

전압-제너 (공칭) (Vz): 51V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 70 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 38.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5930HR5G

부품 재고: 7315

전압-제너 (공칭) (Vz): 16V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 12.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5926HR5G

부품 재고: 7319

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±5%, 전력-최대: 3W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 8.4V,

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