다이오드-제너-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 90

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A A0G

부품 재고: 212

전압-제너 (공칭) (Vz): 39V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHB0G

부품 재고: 123

전압-제너 (공칭) (Vz): 200V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 1500 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 152V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR1G

부품 재고: 175

전압-제너 (공칭) (Vz): 100V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 350 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 76V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR1G

부품 재고: 177

전압-제너 (공칭) (Vz): 13V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 38.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A A0G

부품 재고: 146

전압-제너 (공칭) (Vz): 47V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 35.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHA0G

부품 재고: 208

전압-제너 (공칭) (Vz): 100V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 350 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 76V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A A0G

부품 재고: 150

전압-제너 (공칭) (Vz): 30V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 40 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 22.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHB0G

부품 재고: 138

전압-제너 (공칭) (Vz): 62V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 125 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHB0G

부품 재고: 204

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 14 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR1G

부품 재고: 188

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 14 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A B0G

부품 재고: 184

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 14 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A B0G

부품 재고: 130

전압-제너 (공칭) (Vz): 43V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 70 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 32.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R1G

부품 재고: 125

전압-제너 (공칭) (Vz): 62V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 125 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z R1G

부품 재고: 152

전압-제너 (공칭) (Vz): 130V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 700 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 98.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHB0G

부품 재고: 191

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 175 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 56V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R1G

부품 재고: 187

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R1G

부품 재고: 150

전압-제너 (공칭) (Vz): 100V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 350 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 76V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R1G

부품 재고: 152

전압-제너 (공칭) (Vz): 39V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1M150ZHA0G

부품 재고: 119

전압-제너 (공칭) (Vz): 150V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 1000 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 114V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A A0G

부품 재고: 141

전압-제너 (공칭) (Vz): 56V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 110 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 42.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR1G

부품 재고: 200

전압-제너 (공칭) (Vz): 62V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 125 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A B0G

부품 재고: 153

전압-제너 (공칭) (Vz): 91V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 250 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 69.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HR3G

부품 재고: 194

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HM2G

부품 재고: 201

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739HR3G

부품 재고: 210

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HM2G

부품 재고: 218

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739 M2G

부품 재고: 213

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738 M2G

부품 재고: 148

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4.5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740 M2G

부품 재고: 164

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HR3G

부품 재고: 220

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5946HR3G

부품 재고: 185

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 140 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 56V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5946 R3G

부품 재고: 221

전압-제너 (공칭) (Vz): 75V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.5W, 임피던스 (최대) (Zzt): 140 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 56V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739 R3G

부품 재고: 184

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739HM2G

부품 재고: 218

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737 R3G

부품 재고: 141

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.5V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 5V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737HM2G

부품 재고: 184

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.5V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1.25W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 5V,

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