FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.2A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 5.3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.38 Ohm @ 1.7A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 2A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 210A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 90A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 11.7A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.8A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 2.7A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,
