구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.9V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 16.6V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.1V, 1.9V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 12V ~ 26V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 4.2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 17V (Max), 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 7V ~ 18.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 3V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4V ~ 16V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 14.6V ~ 16.6V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.45V, 2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 18V,
