트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: General Purpose, 전압-정격: 900V, 현재 등급: 20A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4L,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1500V (1.5kV), 현재 등급: 8A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 전압-정격: 1500V (1.5kV), 현재 등급: 3A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1200V (1.2kV), 현재 등급: 8A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1700V (1.7kV), 현재 등급: 3A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 900V, 현재 등급: 12A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-220-4 Full Pack,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1200V (1.2kV), 현재 등급: 8A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-220-4 Full Pack,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1700V (1.7kV), 현재 등급: 4A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
