다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io): 3A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 760mV @ 5A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 30ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 80ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V, 전류-평균 정류 (Io): 3A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 630mV @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io): 3A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 620mV @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 120V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: FERD (Field Effect Rectifier Diode), 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 510mV @ 20A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V, 전류-평균 정류 (Io): 3A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 75ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 720mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V, 전류-평균 정류 (Io): 3A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 820mV @ 3A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2V @ 5A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 55ns,
다이오드 유형: FERD (Field Effect Rectifier Diode), 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 510mV @ 20A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 570mV @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: FERD (Field Effect Rectifier Diode), 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 970mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V, 전류-평균 정류 (Io): 2A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 2A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.9V @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 75ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 960mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 75ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 4A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.75V @ 4A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 6A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.75V @ 6A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 6A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.75V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 680mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: FERD (Field Effect Rectifier Diode), 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V, 전류-평균 정류 (Io): 15A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 480mV @ 10A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 730mV @ 5A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V, 전류-평균 정류 (Io): 1A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 770mV @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 6A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V, 전류-평균 정류 (Io): 1A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 1A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V, 전류-평균 정류 (Io): 30A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 510mV @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V, 전류-평균 정류 (Io): 8A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 50ns,
