메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 128Kb (16K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 32Kb (4K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 32Kb (4K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 128Kb (16K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 128Kb (16K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 10MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 64Kb (8K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 32Kb (4K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 64Kb (8K x 8), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (512 x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
