메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 64Kb (8K x 8), 클록 주파수: 400kHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: NVSRAM, 과학 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 256Kb (32K x 8), 클록 주파수: 10MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Gb (128M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 30ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 128Mb (16M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (128 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 10MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 16Kb (2K x 8), 클록 주파수: 10MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 128Kb (16K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 30ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), 클록 주파수: 1MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EPROM, 과학 기술: EPROM - OTP, 메모리 크기: 256Kb (32K x 8),
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 8Kb (1K x 8), 클록 주파수: 20MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH, 메모리 크기: 32Mb (2M x 16),
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NAND, 메모리 크기: 2Gb (256M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 30ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: EEPROM, 과학 기술: EEPROM, 메모리 크기: 4Kb (256 x 16), 클록 주파수: 2MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms,
