다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 2V, 전류-최대: 100mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 3V, 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.15pF @ 0V, 1MHz, 저항 @ If, F: 13 Ohm @ 5mA, 18GHz, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - 2 Independent, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 1V, 전류-최대: 50mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 150mV, -, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 3 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Cathode, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 500 mOhm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 1.15pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 2V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 100V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.25pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 2V (min), 전류-최대: 100mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.15pF @ 0V, 10MHz, 저항 @ If, F: 13 Ohm @ 5mA, 1MHz, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 1V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Cathode, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 2V, 전류-최대: 50mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.18pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 12W,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 430mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Anode, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 전류-최대: 1.5A, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 2.5W,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1.5 Ohm @ 1mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 전류-최대: 150mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 5V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 750mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 2V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 1V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 70V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 8V, 전류-최대: 50mA, 전력 손실 (최대): 75mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 200V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 100mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 50V, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz, 저항 @ If, F: 900 mOhm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 1V, 전류-최대: 150mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 150mV, 1MHz, 전력 손실 (최대): 250mW,
다이오드 유형: PIN - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 75V, 전류-최대: 1.5A, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.38pF @ 6V, 1MHz, 저항 @ If, F: 2 Ohm @ 10mA, 100MHz, 전력 손실 (최대): 3W,
다이오드 유형: Schottky - Single, 전압-피크 역방향 (최대): 2V, 전류-최대: 150mA, 커패시턴스 @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz, 전력 손실 (최대): 750mW,