다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 6A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 6A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V, 전류-평균 정류 (Io): 100mA, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 100mA, 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
다이오드 유형: Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V, 전류-평균 정류 (Io): 100mA, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 370mV @ 10mA, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 15A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 15A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 15A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.8V @ 30A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 35ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 20A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 30ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 15A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 15A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC), 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 15A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.8V @ 15A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 50ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 2A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 2A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 5A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 130ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 12A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 12A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 430V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 20A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 25ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 8A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 8A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 10A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 10A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V, 전류-평균 정류 (Io): 20A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 8A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 3V @ 8A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 40ns,
다이오드 유형: Standard, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.8V @ 5A, 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 25ns,
다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V, 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC), 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 20A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io), 역 회복 시간 (trr): 0ns,