FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.2V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, 1.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 5.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A, 57A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
