구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 8V ~ 20V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 22V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 6.1V ~ 18V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 4, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.8V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 15V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.9V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 20V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: IGBT, 전압-공급: 25V (Max), 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 13.2V, 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2V,
구동 구성: Low-Side, 채널 유형: Single, 드라이버 수: 1, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 18V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET, 전압-공급: 10V ~ 20V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 13.2V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 4, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 13.2V, 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Synchronous, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 3.3V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET, 전압-공급: 8V ~ 27V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.25V,
