유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 3A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 15A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 2A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 20A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 15A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.5A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.7A, 전압: 250V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerSMD Module, Gull Wing, 21 Leads,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 10A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 30A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 10A, 전압: 600V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 3A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 10A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 25A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: IGBT, 구성: 2 Phase, 흐름: 30A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.5A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.1A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.7A, 전압: 600V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 20A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.5A, 전압: 250V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
유형: IGBT, 구성: Half Bridge, 흐름: 120A, 전압: 300V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 19-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 6.9A, 전압: 250V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerLQFN Module,
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.8A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 5A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.7A, 전압: 250V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),
