트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 12V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 100 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,
