FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 100µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 4nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 3nA,
