FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 28V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4.2A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 5.7A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 6A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 3.6A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.4A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 8.75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 39A, 10V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 5V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 22.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 5V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 10A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.9A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45.6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 22.8A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 9.8A, 10V,
FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 6.1A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 5V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V,
