트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FQN1N50CTA

부품 재고: 109054

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 380mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V,

FDB86563-F085

부품 재고: 38

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V,

NTR4501NST1G

부품 재고: 198427

FDP032N08-F102

부품 재고: 63

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

NTD110N02RST4G

부품 재고: 144150

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

NVD5C434NT4G

부품 재고: 63318

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 50A, 10V,

CPH3348-TL-W

부품 재고: 142286

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

CPH3461-TL-W

부품 재고: 106325

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 170mA, 4.5V,

FDWS86068-F085

부품 재고: 134

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 80A, 10V,

FCPF260N60E

부품 재고: 29554

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V,

FQA55N25

부품 재고: 10600

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 27.5A, 10V,

FDD6N50TM

부품 재고: 123

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

FDD2572

부품 재고: 36308

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 29A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V,

MCH6421-TL-E

부품 재고: 115932

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2A, 4.5V,

FDD8796

부품 재고: 114453

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

FDD850N10L

부품 재고: 192152

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 12A, 10V,

NTK3139PT5G

부품 재고: 117188

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 780mA, 4.5V,

FDMS7656AS

부품 재고: 115982

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 49A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

FDS3512

부품 재고: 72904

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V,

NVMFS5A140PLZT1G

부품 재고: 66

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 140A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

NVD5C632NLT4G

부품 재고: 82395

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 155A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

FQB8N60CTM

부품 재고: 77622

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

NTNS3A67PZT5G

부품 재고: 195283

FQA90N15-F109

부품 재고: 90

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V,

FDB28N30TM

부품 재고: 30261

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 129 mOhm @ 14A, 10V,

NTMFS4H013NFT1G

부품 재고: 24440

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Ta), 269A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

NTD3055-094T4G

부품 재고: 194962

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 6A, 10V,

FDD3N40TM

부품 재고: 155381

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V,

FDPF6N60ZUT

부품 재고: 95777

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.25A, 10V,

FDB3632-F085

부품 재고: 120

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

NTGS4111PT1G

부품 재고: 104539

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

NTHD4P02FT1G

부품 재고: 151617

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tj), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

FQD16N25CTM

부품 재고: 156326

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

FDD86252

부품 재고: 169864

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 27A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

FDMS86580-F085

부품 재고: 88

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 50A, 10V,

NVLUS4C12NTAG

부품 재고: 115215

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,