FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA, 170mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 490mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
